www.kaiyun.com开云-800V数据中心：纳微35kV下变频方案

纳微半导体透露了其对英伟达“人工智能工厂”数据中心概念的提案，其中电力以 800Vdc 分配，揭示了电网电压和 800V 电源转换器。

每个机架的功耗估计为 1MW，数据中心的前端将需要接收 ~14kV 或 ~35kV 的三相电网电力。

Navitas 选择在具有 800Vdc 输出的基于碳化硅的单级 AC-DC 转换器中直接消耗 34.5 或 13.8kV 的三相 480Vac 以进行后续转换，从而避免使用多吨级电网变压器来生产三相 480Vac 以进行后续转换。

它选择了三相模块化“输入-串联-输出-并联”拓扑（上图），使用 3,300V 或 2,300V SiC MOSFET 作为有源元件。

该概念依赖于使用隔离式 AC-DC 转换器，其输入串联以隔离高输入电压，并联输出以提供 800V 的大电流。

使用相同模块的三个串联串来匹配三个输入相位，所有三个相的直流输出也并联。

800V 将分布在整个数据中心，并通过每个机架到机架级 DC-DC 转换器，这些转换器向处理器板提供 ~50V、12.5V 甚至 6.25V，负载点转换器将提供必要的芯片电压。

Navitas 还提出了用于 800V 下变频步骤的转换器拓扑，选择 GaN hemts 作为开关器件和某种形式的 LLC DC-DC——这与TI、Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations和EPC为其 AI 工厂 PSU 贡献而选择的配对相同。

与这些公司中的任何一家不同，纳微在输入端采用单半桥，在中间采用多次级平面矩阵变压器，在输出端采用多个并联同步整流器（上图）。

在 10kW 800 至 50V 演示器中，该公司使用三电平半桥前端来安装其 650V GaN 瞬息器、一个 8：1：1：1：1 变压器以及带有 100V GaN 晶体管的全桥以进行同步整流（上图）。

“使用多个变压器有助于避免端接损耗，尽管代价是占地面积更大。然而，使用多个变压器会引入更大的铁芯损耗和更大的磁尺寸，”Navitas 表示。“矩阵变压器可以通过确保铁芯之间的磁通消除来减轻这些损耗——矩阵变压器结合了各个变压器，使得初级侧绕组串联/并联连接，而次级侧绕组并联/串联。”